栅极电阻和驱动电路的设计对MOSFET的开关性能至关重要。确保栅极驱动电压足够高（接近VCC），且驱动电路能够快速充放电栅极电容。使用高速驱动器（如专用MOSFET驱动器IC）可能有助于改善开关性能。
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在用4个600V、20A的4个MOSFET组成一个H桥，来做一个控制线圈的双向控制，管子的型号是STP20NM60，TO220封装。由于这种斜对角的模式，无法使用自举模式，所以直接使用了上管单独加隔离DCDC电源这种简单粗暴的模式。鉴于体积的原因，DCDC使用的功率较小，只有1W。但是在DCDC的输出侧加了100Uf的电容来保障MOSFET导通瞬间的脉冲电流，12V变12V的DCDC。 故障表现为反复炸管子，既偶然，也必然。炸管子的板子分析时发现门极电路尤其脆弱。先期表现为门极电阻反并联的1N4148烧毁，后来拆掉了4148，但在GS之间加了TVS管，似乎没起到什么作用。 补充说明的是：负载电流最大峰值只有13A，管子的容量应该是够了。导通方式就是一个连续的40ms的高电平模式，也曾经加过PWM的方式来控制，因为炸管子放弃了，但没想到现在这种简单的控制仍然会炸。 请求大神相助。感谢。
