如果需要实现Ids相对VGS的线性变化，可以考虑使用其他类型的晶体管，如双极性晶体管、JFET（结型场效应管）等。这些晶体管的特性曲线可能更容易实现线性变化。
戴维哥
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输入端峰峰值最大10V正弦波信号。想通过分立的MOS管，实现让Ids相对Vgs线性增加的。Ids可在2mA~20mA变化.通过观察NMOS的 Id-Vgs关系图,不可能实现线性变化的.请问有没有什么管子可以实现线性变化?谢谢!
