理论：一般而言，Mosfet开启时刻，Cgd电容放...

不同的MOS管具有不同的特性，包括其Cgd的大小、开启速度和驱动要求等。如果选择的MOS管具有较小的Cgd或者其驱动电路设计得当，那么在开启时，Cgd的放电过程可能不会对Vds产生显著的影响，从而导致Vds下降得特别快。