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难住了!请问一下,如图所示,电容和MOS串联,通过...

 谢主龙恩

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难住了!请问一下,如图所示,电容和MOS串联,通过电容和MOS管的电流也如图所示,可以看到的是,当MOS关断后,电流还会反向持续减小,是由于流经了体二极管,请问,怎么可以确定体二极管导通的时间?应该通过怎样的公式去计算?

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就是工作点的V/I =Rd,Rd不是个定值(应该是随电容电流大小而变的),大概估算一下。不过一般Rd很小,电容C上面接的是什么?有其他阻性的话,Rd大概可以忽略。
检查MOS管的关断特性,包括体二极管的导通情况,这可能会影响电流的路径和MOS管的关断速度。
当MOS关断后,电流的变化可能会在电容上产生电压变化,这需要通过电路设计来控制,以避免电压尖峰。
在设计时,可以考虑在MOS管和电容之间增加一个快速恢复二极管,以提供一个电流的旁路路径,减少关断时的电流冲击。

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