尽管MOS管的击穿电压为650V,但在实际应用中,由于电路中的电压尖峰、反射波等因素,MOS管可能 承受的瞬间电压可能超过其额定电压。特别是当电路中的电感、电容等元件未能很好地抑制这些电压尖峰时,更容易导致MOS管击穿。
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最近设计的一款产品(PFC Boost电路)在连续运行5weeks后出现了损坏,经万用表检查:mos管G、D短路(与S均没有短路现象);采样电阻烧毁;整流桥损坏。工作模式:在110V-230Vac工作,升压至380V,mosfet选用的一款英飞凌的产品,击穿电压650V, 连续导通电流最大为40A(100°)。电路工作的最大电流为16A(RMS)。下面是该电路的原理图: