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这是什么鬼?全桥逆变空载时MOS严重发烫!电路图如...

 江布拉克

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这是什么鬼?全桥逆变空载时MOS严重发烫!电路图如下,使用的是IR2110驱动H桥,STM32产生带死区的SPWM信号。目前我焊了两个。一个板子使用的是IRF840,GS电阻焊接了,DS反向二极管焊接了,G级电阻焊接了,没有焊G级哪儿的反向二极管。这个板子的mos发热严重。另一个板子用的是IRFP460,只焊接了G级电阻和反向二极管。发热正常。两张板子的驱动信号是一致的,加的电压也都是310V,同样处于空载的状态,恳请懂行的前辈指点迷津?

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有可能是死区时间内GS电压没有降低到关断值,存在瞬时直通造成的,还有
G极驱动电阻减小一些 GS泄放电阻换成10K试试看
这个问题,在我的驱动专题中讲了N多次。只要将驱动电压降到12V以下,这种标准高压MOSFET就基本不会在空载半桥产生炮弹电流。加反向二极管后;在标准配比下,可以在更高电压下避免这种问题。至于1N4148,实在有点复读机了。再次强调下:1)市面上的1N4148有两种,一种是点触式。也是传统结构。只适合做检流不适用于此。2A峰值电流就会出现失效。2)现在;有些厂家把BAV19当成1N4148在卖。由于管芯是0.5A二极管,还是可以的。所以;不适所有1N4148都能用。需要定型定厂家。做好是别用;很容易搞错。
百度了一下,没有发现什么叫炮弹电流,不知道谁能给普及下
这样并二极管是没多大用的,因为外部二极管和MOS的寄生二极管,压降相当,负载的交换电流,同样会流经体内二极管,产生反向恢复电流的问题,从而空载发热。

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