有可能是死区时间内GS电压没有降低到关断值,存在瞬时直通造成的,还有
下载贤集网APP入驻自媒体
这是什么鬼?全桥逆变空载时MOS严重发烫!电路图如下,使用的是IR2110驱动H桥,STM32产生带死区的SPWM信号。目前我焊了两个。一个板子使用的是IRF840,GS电阻焊接了,DS反向二极管焊接了,G级电阻焊接了,没有焊G级哪儿的反向二极管。这个板子的mos发热严重。另一个板子用的是IRFP460,只焊接了G级电阻和反向二极管。发热正常。两张板子的驱动信号是一致的,加的电压也都是310V,同样处于空载的状态,恳请懂行的前辈指点迷津?