梓晗
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求助，做过雷击测试的大神求指教！AC/DC隔离方案，雷击实验要求(端口L、N、PE、B+、B-)：差模±1.2Kv，阻抗为2Ω；共模：±2.4Kv，阻抗为12Ω，现在对B+和B-端口之间做差模的时候，容易烧MOS管，图纸如图1。图中的MOS用来做过流关断的功能，B+和B-对PE端口之间分别接有Y电容，在B-和PE之间接了一个气体放电管。在对B+和B-之间做+1.2Kv的浪涌的时候，瞬间会造成MOS管的过流关断，然后电源系统恢复正常，但在B+和B-之间做-1.2Kv的浪涌的时候，会造成MOS管的DS击穿，MOS管采用是:IRFR3607，参数如图2，由于在B+和B-之间，加-1.2Kv的时候击穿MOS管的DS。分析：击穿MOS管的DS，一般是过压造成的，所以就在端口B+和B-之间加了一个气体放电管，耐压值为75V的，因为B+和B-输出电压为24V，选2-3倍的安全余量，继续浪涌实验，发现还是在B+和B-之间，加-1.2Kv的时候击穿MOS管的DS。又换了一个方案：就是在在B+和B-之间加了一个压敏电阻，耐压值为56V的，继续实验，结果发现还是不行，仍然少MOS，击穿仍然是DS。之前有尝试过在B+和B-之间一个高压电容，结果还是一样的，在做的大佬有遇到这样的问题的么，怎么整改的？求指点迷津！
