DDR3不稳定的话，主要还是先看一下布线是否严格按照上的要求布的。布线不合理，导致信号的完整性不好，会对DDR造成不稳定的情况，但是就这个问题，个人觉得不像是布线不符合要求引起的！
林海雪原
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VTT供电电源变换是否会导致DDR的Leveling出现time out的异常？ 我在自己设计的C6657的硬件电路中，发现存在如下异常情况，导致DDR测试不通过， DDR3 leveling has failed，STATUS = 0x40000064，现在 ①可以确保DDR的配置参数已经根据 ti 给出的计算表格，根据硬件的实际设计情况，作出了调整； ②同一批次的产品，存在某些测试未发现异常，某些测试发现异常的情况。 异常发生的时候，发现存在VTT供电电源，0.75V 存在最大20mV的变化量，正常的时候，该值的变化量一般在几个mV。 现在，想要请问下，①VTT供电电源变换是否会导致 DDR 的Leveling 出现time out的异常？②VTT的变化范围在多少之内是允许的？【因为，我发现TI给出的文档上，有一处描述有点对不上，sprabi1c- DDR3 design requirements for Keystone Device，对于电压的稳定性，噪声方面有问题，如下图，±2%， or 1.5mV】
