中国的光刻机现在达到多少纳米了？

2016年底，华中科技大学国家光电实验室目前利用双光束在光刻胶上首次完成了 9nm 线宽，双线间距低至约 50nm 的超分辨光刻。未来将这一工程化应用到光刻机上可以突破国外的专利壁垒，直接达到 EUV 的加工水平。2014年10月瑞典皇家诺贝尔奖委员会决定将当年的诺贝尔化学奖授予打破光学衍射极限发明超分辨率光学显微技术的三位科学家，以表彰他们在超分辨率光学成像方面的卓着贡献。其中斯蒂芬·黑尔教授发明的STED超分辨技术采用二束激光，一束激发激光激发显微镜物镜下的荧光物质产生荧光，另外一束中心光强为零的环形淬灭激光淬灭激发激光产生的荧光。这两束光的中心重合在一起，使得只有处于纳米级环形淬灭激光中心处的荧光分子才能正常发光，通过扫描的办法就可以得到超越衍射极限的光学成像。未来将这一技术工程化应用到光刻机上，能够突破光学衍射极限对投射电路尺寸的限制从而实现超分辨光刻，有望使国产集成电路光刻机摆脱一味采用更短波长光源的技术路线。					

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2018-02-08 14:48:51