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来源：柔智烩
超薄纳米材料膜或激发新一代可重写存储设备和低功耗电子产品由伯克利实验室材料科学系高级教授，加州大学伯克利分校物理学教授Alex Zettl领导的研究小组，开发了一种新技术，该技术可以用超薄材料制造下一代电子产品的超薄材料，例如可擦写，低功耗等。存储电路。他们的发现发表在《Nature Electronics》杂志上。
纳米电路的近场扫描显微镜图像"写入"了由氮化硼和石墨烯制成的2D器件。
利用分子铸造厂的纳米制造设备，研究人员准备了两种不同的二维装置，称为范德华异质结构：一种是将石墨烯夹在两层氮化硼之间；另一种是将石墨烯夹在两层氮化硼之间。另一种是将二硫化钼夹在中间。
研究人员证明，当将细细的电子束施加到氮化硼"三明治"上时，他们可以通过控制电子束暴露的强度，同时适当地控制纳米线，将纳米级的导电通道或纳米电路"写入"核心的"活性"层，背栅电场。
当将这些纳米电路写入石墨烯或二硫化钼层时，它们可以使高密度的电子或称为空穴的准粒子在狭窄的预定轨道上以超高速积累并在半导体中移动，而几乎没有碰撞-就像汽车在几英寸内高速公路上赛车一样彼此不会坠毁或停转。
研究人员还发现，将具有特殊背栅的电子束重新施加到2D材料上，可以擦除已经写入的纳米电路，或者在同一设备中写入其他或不同的电路，这表明该技术具有极大的潜力，可以用于下一个新一代可重构2D电子产品。
重要的是，研究人员证明，即使去除了电子束和背栅，该材料的导电状态和超高电子迁移率仍然存在。伯克利实验室材料科学部和加州大学伯克利分校的Zettl实验室的首席科学家吴石说，这一发现对于许多应用都是至关重要的，包括不需要恒定功率来保存数据的节能型非易失性存储设备。
