回复科技观察：低成本、高性能的小型化压力传感器一直是消费电子市场不断追求的目标
科技观察
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SOI压力传感器主要利用了SOI材料制作工艺高、键合过程中附加应力小(衬底硅和SiO2直接键合，没有其他过渡层，避免了附加应力产生)的特点，克服了传统硅压阻压力传感器难以适应高温环境的缺点。 相比于其他类型的传感器，SOI压力传感器具有易于与CMOS工艺兼容、集成化程度高、测试范围宽等特点(可达1000MPa)。 但是SOI传感器对制作工艺要求较高，导致其加工相对困难，一定程度上限制了该传感器的发展，但这也是该类传感器的主要发展方向。
