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利用photogating(光诱导栅压调控)效应也是实现高增益灵敏探测的手段之一，photogating效应通过光照引起的电势调控晶体管沟道的电导率，也可以理解为在场效应晶体管中产生了额外的栅压导致的光电响应，晶体管中俘获的载流子对沟道层产生强局域作用，进而形成极大光增益。 随着近年来低维材料研究热潮的兴起，基于photogating效应的光电探测器再次引起了人们的广泛关注。一方面，由于低维材料比表面积大，材料的表面态或缺陷态都可以作为载流子的俘获中心，从而调控沟道的电导率；另一方面，通过构建低维材料异质结复合体系，利用其中一种材料作为高效的载流子俘获中心，在界面载流子积累形成的内建电场作用下，另一种材料中的电导能够被有效调控，从而产生高增益。
