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大尺寸Si基GaN是目前GaN基功率半导体器件以及Si与GaN器件异质集成的主要平台，主要得益于： （１）晶圆尺寸的增大使单位面积材料的成本不断降低，目前Si基GaN外延能实现12英寸，基于蓝宝石（散热较差）和SiＣ衬底的晶圆主要为6英寸，且SiC成本较高； （２）可兼容ＣＭＯＳ工艺，有效降低GaN功率电子器件的制造成本； （３）利用Si基GaN平台有望实现GaN功率器件、射频器件和Si逻辑控制电路及驱动IC的单片集成。为推动Si基GaN类ＣMOS器件乃至Si与GaN的异质集成奠定物理基础。
