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作为光信息技术的核心器件，垂直腔面发射激光器（VCSEL）具有低阈值电流、低功耗、小发散角、动态单纵模、高调制效率、圆形光斑、面发射易于二维集成等优点，是光纤通信、光互连等领域的理想光源，一直受到国内外研究机构的重视。 基横模VCSEL是光纤通信、光互连、激光打印等应用领域的首选器件。因为只有稳定的基横模器件才能够保证光斑能量无暗纹、发散角小，而且基横模也是纵模稳定工作的必要条件。由于这种利用较小氧化孔径结构制备的基横模器件，存在器件输出光功率低、串联电阻大、制备困难、热稳定性及可靠性差等问题。因此，在大氧化孔径条件下实现VCSEL基横模高功率输出，一直以来是研究人员关注的焦点。 为了解决氧化孔径与单模高功率输出之间的矛盾，国内外研究者针对在大氧化孔径下实现单模输出的方法进行了不同的探索。目前横模控制方法主要有光子晶体、表面浮雕、反波导、扩展谐振腔以及高对比度光栅结构等。（目前，横模控制方法主要用于850 nm和980 nm波段的VCSEL。）
