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据韩国媒体businesskorea报道，三星电子公司的一位高级官员6月8日表示，该公司正在加速开发具有200层以上的V-NAND闪存。 "公司已经获得了具有200层以上的第八代V-NAND解决方案的工作芯片，并计划根据消费者的需求将其推向市场。"执行副总裁兼闪存产品与技术负责人Song Jai-hyuk在该公司新闻室发表的一篇文章中说。 三星电子目前正在进行研究，目标是开发第八代228层的V-NAND闪存。
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