安全观察家
下载贤集网APP入驻自媒体
近日，复旦大学微电子学院教授周鹏团队针对主流电荷存储器技术，发现了制约硅基闪存技术的原理瓶颈，提供了可以应用于硅材料的器件模型，实现了超快速度，为统一存储器的发展提供了技术途径。 闪存自1967年发明以来，由于其高密度低成本的特性，已经占据了先进非易失存储技术99%的市场。然而自从东芝公司实现商业化技术后，工作在量子隧穿机制下的硅基闪存编程时间一直在百微秒量级，无法实现对速度有较高要求的内存级应用。那么量子隧穿机制是注定不能实现更快的速度吗？ 周鹏团队从源头出发，首次发现了双三角隧穿势垒超快电荷存储机理，突破了传统经验束缚，获得了内存DRAM技术级编程速度。研究人员发现，在存储与擦除的工作过程中，势垒高度决定了电荷隧穿通过的难易程度，栅耦合比决定了栅极控制电压产生的电荷密度，良好界面保证了不会引入额外沾污或缺陷。
