汽车眺望
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7月19日，半导体制造商罗姆（ROHM）宣布推出集成650V耐压、内置SiC肖特基势垒二极管的Hybrid IGBT（混合型IGBT），并符合汽车可靠性标准AEC-Q101。新产品适用于处理大功率的汽车和工业应用，例如光伏电源调节器、车载充电器以及电动和电气化汽车（xEV）中使用的DC/DC转换器。 RGWxx65C系列在IGBT的反馈单元（续流二极管）中采用了罗姆的低损耗SiC肖特基势垒二极管，几乎没有恢复能量，因此可将二极管开关损耗降至最小。此外，由于在开启模式下恢复电流不必由IGBT处理，因此显著降低了IGBT的开启损耗。当将该产品用于车载充电器时，在这两种效应的共同作用下，其损耗与传统IGBT相比降低67%，与超级结MOSFET（SJ MOSFET）相比降低24%，从而进一步提高性价比，并降低工业和汽车应用中的功耗。
