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英飞凌推出航天级NOR闪存 数据保留期限可长达250年

 芯闻速递

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英飞凌科技股份公司旗下的Infineon Technologies LLC近日宣布推出业界首款高容量抗辐射(RadTol)NOR闪存产品,该产品通过了MIL-PRF-38535 QML-V流程认证。QML-V流程是航天级IC的最高质量和可靠性标准认证。

英飞凌的256 Mb和512 Mb RadTol NOR Flash非易失性存储器可带来出色的低引脚数单芯片解决方案,适用于FPGA配置、图像存储、微控制器数据和引导代码存储等应用场合。在更高时钟速率下使用时,器件支持的数据传输可媲美或超越传统的并行异步NOR闪存,同时显著减少引脚数。这款器件的抗辐射性能高达30krad(Si)偏置和125krad(Si)无偏置。在125°C时,这款器件耐久性达到1000次编程/擦除周期,数据保留期限为30年,在85°C时可达到1万次编程/擦除周期,数据保留期限为250年。

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