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两种成像技术揭秘电池“死亡区”,或能让高密度硅电池成为现实

 小科工

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到目前为止,很少有研究人员深入研究电池循环过程中阳极内部的工作机制,而且对于在原子层面上到底发生了什么也存在分歧。

美国太平洋西北国家实验室(PNNL)的科学家王崇民说:“很多人都想象过可能发生的情况,但之前没有人真正证明过。”

美国太平洋西北国家实验室的研究小组将改变这一现状,他们将两种复杂的成像技术,敏感元素断层扫描和低温扫描透射电子显微镜,与一种先进的算法相结合,观察这一过程的运行情况,发现锂阳极实际上是向硅结构推进,然后回流,在结构中留下巨大的空隙。

这些空隙随后被硅内部的固体电解质的发展所填补,在阳极内形成“死亡区”,迅速增加到重大容量损失。

王崇民表示:“这项工作为开发硅作为高容量电池的阳极提供了一个清晰的路线图。”该小组总结说,改进硅阳极的最有效方法是集中于防止或限制电解质渗透到阳极。

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