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2021年10月25日消息，记者获悉，全球能源互联网研究院有限公司（联研院）经过多年潜心研究与探索，攻克噪声干扰机理分析与芯片级电磁防护、高密度数模混合集成、片上状态感知等关键技术，通过参股公司北京联研国芯技术有限责任公司产品化，日前成功推出全球首款IGBT智能数字驱动芯片SDD（Smart Digtal Driver），引领IGBT驱动芯片进入智能数字化时代。 IGBT智能数字驱动芯片首次在驱动芯片中集成了IGBT状态感知功能，通过内置的检测单元，可实现对IGBT多个状态参量的实时精确采集，具备单线聚合通讯单元，可将感知数据实时上传；依托芯片内部可重构架构，可实现根据不同应用场景定制化配置控制保护算法，同时能够灵活设定保护时间与保护定值，并支持用户自定义通信协议。 此外，该芯片可更加快速地控制和保护IGBT，相比模拟芯片故障判定时间可缩短50%；能够支持多达16级开通/关断电阻调节，可配置最多10级故障检测通道，能够实现更高的控制和检测精度；相比基于分立器件的数字驱动器，实现相同功能所需元器件数量降低70%，驱动器可靠性大幅度提高。SDD01封装尺寸为13mmx13mm，所需面积降低60%，而更小的体积、更少的元器件数量也将大大降低驱动器的生产成本。 IGBT智能数字驱动芯片解决了驱动芯片卡脖子技术难题，将成为实现新型电力系统数字化转型的助推剂。
