电子芯技术
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到目前为止，半导体材料已经过了三个发展阶段，虽然这个领域并没有“后浪拍前浪，前浪死在沙滩上”的说法，不仅以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）为代表第三代半导体正处于高速发展的阶段，就连硅（Si）和砷化镓（GaAs）等第一、二代半导体材料也仍在产业中大规模应用。但不可否认，第三代半导体确实具有更多的性能优势。当然，SiC和GaN也有各自与众不同的特性，主要可分为以下两点： 性能对比 碳化硅和氮化镓半导体通常也被称为化合物半导体，因为他们是由选自周期表中的多个元素组成的。下图比较了Si、SiC和GaN材料的性能，这些材料的属性对电子器件的基本性能特点产生重大影响。 应用对比 GaN和SiC在材料性能上各有优劣，因此在应用领域上各有侧重和互补。 GaN：目前主要用于射频器件、电力电子功率器件以及光电器件。GaN的商业化应用始于LED照明和激光器，其更多是基于GaN的直接带隙特性和光谱特性，相关产业已经发展的非常成熟。射频器件和功率器件是发挥GaN宽禁带半导体特性的主要应用领域。 SiC：SiC能大大降低功率转换中的开关损耗，因此具有更好的能源转换效率，更容易实现模块的小型化，更耐高温，目前主要用于高温、高频、高效能的大功率元件，如智能电网、交通、新能源汽车、光伏、风电。其中，新能源汽车是SiC功率器件市场的主要增长驱动因素，主要的应用器件有功率控制单元(PCU)、逆变器，DC-DC转换器、车载充电器等。
