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SiC这个行业是相对较新且较细分的领域,很多仿真软件不会专门为SiC投入太多资源,所以这方面的模型是缺失的。SiC材料本身的模型数据的缺失导致商用软件在仿真SiC的时候,预测不准确,给设计者带来了很大困难。譬如在仿真里设计的很好的器件,等到流片出来后却发现,跟设计的完全不一样,这就需要设计者从最底层物理上的模型,比如SiC自身的电子迁移率、雪崩击穿的模型、热学仿真模型、工艺栅氧生长等方面对SiC材料进行校准,不断的去实验迭代和完善。
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