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杭州国家“芯火”平台宣布，其第一颗芯片，超大窗口阻变随机存储器芯片正式诞生，命名“杭州芯火壹号”HX001。 该芯片由杭州国家“芯火”双创平台、浙江大学微纳电子学院协同开发完成，其中阻变器件选择插层结构，采用双层或多层的插层结构来固定导电细丝在电极、插层和阻变层界面处的位置。 具有Pd/Al2O3/HfO2/NiOx/Ni结构的阻变器件不需要Forming操作，从而有效提高忆阻器的窗口，存储窗口可大于106，并减少了对器件的后端集成。 同时，采用十字交叉阵列将单元面积做到40F2，大大提高了阻变器件的集成密度。 经过功能和性能检测，HX001芯片的工作电压小于5V；所读取的忆阻器阻值窗口远大于106；在150℃环境下，分别在1s、30s、100s、300s、1000s、3000s时加约0.1V小电压，对忆阻器进行数据保持特性测试，忆阻器均能保持电阻阻值稳定。 根据模型外推，忆阻器所存储的数据可在150℃环境温度下保持10年以上，忆阻器单元面积小于40F2。 目前，HX001芯片已经多家单位评测试用，用户均认为该芯片产品具有较好的存储特性和可靠性，优于市场同类产品，具有较好的市场应用前景。 项目已申请一项国家发明专利。
