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一种被称为ULTRARAM的先锋型专利计算机存储器已在硅片上得到演示，这是向其大规模生产迈出的重要一步。 ULTRARAM是一种具有非凡特性的新型存储器。它将数据存储存储器（如闪存）的非挥发性与工作存储器（如DRAM）的速度、能源效率和耐用性结合起来。为了做到这一点，它利用了化合物半导体的独特特性，这些特性通常用于LEDS、激光二极管和红外探测器等光子设备，但不用于数字电子，因为数字电子是硅的专利。 现在，在兰卡斯特大学物理系和工程系以及华威大学物理系的合作下，ULTRARAM首次在硅片上实现。 值得注意的是，硅设备上的ULTRARAM实际上超过了以前在砷化镓化合物半导体晶圆上的技术化身，展示了（推断的）至少1000年的数据存储时间，快速的开关速度（就设备尺寸而言）和至少1000万次的程序-擦除循环耐久性，这比闪存好一百到一千倍。
