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三星电子（Samsung Electronics）今天宣布，已成功展示世界上首个基于 MRAM（磁阻随机存取存储器）的内存计算。 全球范围内已经有不少关于内存计算的研究。在内存计算方面目前开发方向主要有 RRAM（电阻式随机存取存储器）和 PRAM（相变随机存取存储器）。相比之下，尽管 MRAM 具有操作速度、耐用性和大规模生产等优点，但迄今为止很难将 MRAM（另一种非易失性存储器）用于内存计算。这种困难来自于 MRAM 的低电阻，由于 MRAM 在标准的内存计算架构中使用时不能享受降低功耗的优势。 三星电子的研究人员通过架构创新为这一问题提供了解决方案。具体来说，他们成功地开发了一种演示内存计算的 MRAM 阵列芯片，通过用一种新的“resistance sum”电阻来取代了传统标准内存计算架构中的“current-sum”，解决了单个 MRAM 器件的小电阻问题。 随后，三星的研究团队通过运行这种 MRAM 内存计算芯片来测试其性能，以执行人工智能计算。该芯片在对手写数字进行分类时达到了 98% 的准确率，在从场景中检测人脸时达到了 93% 的准确率。
