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近日，三星电子在顶级学术期刊Nature上发表了全球首个基于MRAM（磁性随机存储器）的存内计算研究。 存内计算由于毋需数据在存储器和处理器间移动，大大降低了AI计算的功耗，被视作边缘AI计算的一项前沿研究。虽然MRAM存储器件具备耐用性、可大规模量产等优势，但其小电阻的特性阻碍了这类存储器被用于存内计算。 本次，三星电子的研究团队通过构建新的MRAM阵列结构，用基于28nm CMOS工艺的MRAM阵列芯片运行了手写数字识别和人脸检测等AI算法，准确率分别为98%和93%。
