小金工
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近日，网络上的一项专利，暗示了这家芯片巨头或借助"堆叠叉片式"晶体管技术来延续摩尔定律，并且用于2nm及以下先进制程的半导体工艺上。 该专利全称"堆叠叉片式晶体管（stacked forksheet transistors）"技术。该专利并没有提供太多的细节，而且英特尔也没有提供PPA（功率性能面积）的改进数据作为参考。 简单来说，这全新的结构目的是为了进一步缩小晶体管，同时在半导体堆叠时将特征尺寸最小化。在新的结构下，PMOS和NMOS这两种晶体管将更紧密地封装到一起，而不会影响它们的运行。如果一切顺利，基础CMOS器件的占地面积至少减半，从而让集成电路的密度轻松翻倍。但正如前面所说，由于没有提供更多细节，这种新结构在制造复杂性上将面临很大的挑战。
