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推特用户@Underfox3发布了一条推文，展示了英特尔的一项专利申请。在这份报告中，英特尔已经申请了一项堆叠式叉片晶体管的专利——一种堆叠式晶体管，可以让公司生产出带有18A晶体管的芯片。 采用这种堆叠晶体管技术，英特尔可以在芯片上增加更多的晶体管，并通过使芯片能够以三维而不是二维的方式发送信号，实现晶体管之间更快的通信。 值得注意的是，英特尔在其最近公开的展示公司新节点命名惯例的幻灯片中包含了一个名为20A的节点——a代表Angstrom。其中20个晶体管相当于2纳米(指的是栅极之间的距离)，这意味着新的晶体管设计(使用该公司描述的RibbonFET技术)将低于3纳米，这是目前公司的标准。除了新的节点命名，英特尔还表示将对20A进行一些改进，这将导致18A的发展。
