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三星与IBM最新开发的垂直传输场效应晶体管技术（VTFET）创新性的将晶体管垂直于半导体布置，这使得电流的流动从传统的横向或并排流动可以变为垂直或上下的电流流动。 这样的改变，不仅使得芯片从二维时代走向三维时代，使摩尔定律预言的增长曲线在新的维度得以延续，并且与现有技术相比能够减少芯片使用过程中85%的能耗。
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