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三星已经准备在韩国平泽市的P3工厂开工建设3nm晶圆厂，预计6、7月份动工，并及时导入设备。按照此进度，今年的3GAE工艺应该只是小规模试产，大规模量产需到明年。据悉，与7nm制造工艺相比，3nm GAA技术的逻辑面积效率提高了45%以上，功耗降低了50%，性能提高了约35%，纸面参数优于台积电的3nm FinFET工艺。
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