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第三代半导体未来产值将达47.1亿美元

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目前最具发展潜力的材料即为具备高功率及高频率特性的宽禁带(Wide Band Gap;WBG)半导体,包含碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN),主要应用大宗为电动车、快充市场。

据TrendForce集邦咨询研究推估,第三类功率半导体产值将从2021年的9.8亿美元,至2025年将成长至47.1亿美元,年复合成长率达48%。

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