电子芯技术
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据清华大学官网消息，集成电路学院任天令教授团队在小尺寸晶体管研究方面取得重大突破，首次实现了具有亚1纳米栅极长度的晶体管，并具有良好的电学性能。 据清华大学介绍，目前主流工业界晶体管的栅极尺寸在12nm以上，日本中在2012年实现了等效3nm的平面无结型硅基晶体管，2016年美国实现了物理栅长为1nm的平面硫化钼晶体管，而清华大学目前实现等效的物理栅长为0.34nm。 官网介绍，为进一步突破1纳米以下栅长晶体管的瓶颈，本研究团队巧妙利用石墨烯薄膜超薄的单原子层厚度和优异的导电性能作为栅极，通过石墨烯侧向电场来控制垂直的MoS2沟道的开关，从而实现等效的物理栅长为0.34nm。
