下载贤集网APP入驻自媒体
随着芯片制程工艺的更新迭代,芯片已进入3nm时代,指甲盖大小的硅片上集成几百亿个晶体管,让电子设备拥有了更强悍的数据处理能力。 不少业内人士表示,如果不能寻找到新的发展方向,芯片集成晶体管数量每两年就要翻一番的规律就要被打破了。为了打破摩尔定律,台积电、三星、英特尔等芯片制造头部企业开始加大在先进封装领域的投入,企图通过在制造工艺不变的情况下,利用先进的封装技术,增加晶体管的集成数量,实现性能的提升,以及功耗的降低。 先进的封装技术虽然能够增加晶体管的集成数量,但也存在一定的弊端,晶体管之间的空间更小,性能无法被充分调动,苹果发布的M1 Ultra芯片就是一个很好的例子。 近日,清华大学正式对外宣布,任天令教授团队在小尺寸晶体管领域实现了重大技术突破,首次实现了亚1纳米晶体管,并且将该技术发表在了国际顶级期刊杂志《自然》上。 据清华大学公布的信息显示,任天令教授团队打破传统芯片的常规,摒弃主要原材料硅,采用硫化钼材料,并以此打造出具备可控电气性能的亚1纳米晶体管。 对于清华大学掌握的亚1nm晶体管技术,西方科技界瞬间沸腾了,多家美媒纷纷发文表示:台积电要变脸了!