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3月15日，日本丰田合成宣布与日本大阪大学（OsakaUniversity）成功研制出尺寸超6英寸的GaN籽晶，有助于GaN功率器件的低成本化。 据介绍，为制造超过6英寸的GaN 衬底，丰田合成与大阪大学采用了钠助熔剂法（Sodium Flux Method），该方法是在钠和镓的液态金属中生长GaN晶体。基于此，丰田合成开发出全球最大、超过6英寸的高质量GaN晶体。
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