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在半导体行业中,设备投资占半导体产业资本支出的60%-70%,其中晶圆制造过程因工艺复杂,工序多样,相关设备的价值量占比极高,达到了总资本支出的50%以上。半导体设备的发展已经成为推动半导体行业技术创新进步的引擎。对于半导体设备的研制,部件所使用的材料是影响设备性能的关键因素。特别是对于晶圆制造过程中的刻蚀机和PECVD设备,等离子体通过物理作用和化学反应会对设备器件表面造成严重腐蚀,一方面缩短部件的使用寿命,降低设备的使用性能,另一方面腐蚀过程中产生的反应产物会出现挥发和脱落的现象,在工艺腔内产生杂质颗粒,影响腔室的洁净度。