国产氟化氩光刻机已经实现了分辨率≤65nm、套刻精度≤8nm国产氟化氪光刻机同样取得了重要突破，其分辨率为≤110nm、套刻精度≤25nm。这两款光刻机均属于深紫外（DUV）范畴，能够满足不同工艺节点的芯片制造需求。现在国产最先进的光刻机是氟化氩光刻机，其光源波长为193nm，分辨率≤65nm，套刻精度≤8nm
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半导体芯片产业较为落后一直是我国的一大心病，正因为如此，美国才能够肆无忌惮地通过芯片来打压我国优秀的科技公司（华为、中兴等）。 美国不仅仅是限制本国企业那么简单，甚至插手第三国企业，要求获得美国许可之后才能够与中国合作。最核心的原因在于中国的高速发展已经令美国感到恐惧，5G网络上的失败使得美国更加不愿放弃在半导体产业上的优势。 那么，当前我国半导体产业的发展受到了哪些限制，国内光刻机的发展究竟到了那种地步呢？
