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高性能的制冷型红外探测器主要采用HgCdTe、以InSb和InAs/GaSbT2SL为代表的锑化物半导体、量子阱探测器等。InSb探测器始于上世纪50年代，具有量子效率高，稳定性好等特点，与HgCdTe相比，InSb焦平面阵列材料缺陷密度低，位错密度小；不存在组分均匀性问题，晶元尺寸更大、均匀性更高，也无由此产生的探测器光谱及响应的不均匀性；可实现芯片自动化生产，器件成本低、长期使用稳定性高，80年代开始InSb焦平面探测器的研制，至90年代即基本发展成熟，目前向着更小光敏元尺寸、更大阵列规模的方向发展。InSb目前在军用中波红外探测器系统中占据主导地位。
近日，中航凯迈（上海）红外科技有限公司（简称：中航红外）针对星载、机载、舰载、防空雷达等光电系统远距离探测应用需求，研制出1280×1024（25μm）InSb中波红外焦平面探测器。该探测器采用分置式斯特林制冷机制冷，启动速度快，性能稳定，寿命长，成像清晰，具备任意开窗、输出通道选择、全局复位等多种功能
