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三星3nm芯片全球首秀:功耗降低50,性能提高了约35%

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日前,美国总统参观了三星位于平泽市附近的芯片工厂,这里是目前全球唯一一个可以量产3nm工艺的晶圆厂,三星首次公开了3nm工艺制造的12英寸晶圆,不过具体是哪款芯片还不得而知。根据三星的说法,与7nm制造工艺相比,3nm GAA技术的逻辑面积效率提高了45%以上,功耗降低了50%,性能提高了约35%,纸面参数优于台积电3nm FinFET工艺,且预计该工艺将在2022年Q2季度量产。

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