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据日媒mynavi介绍，在 VLSI Symposium 2022 上，将进行各种有关内存的演讲，其中华为公司名为“采用垂直CAA型IGZO FET的3D-DRAM技术”的演讲将备受关注。 针对IGZO-DRAM的密度问题，中国科学院微电子研究所李泠研究员团队联合华为/海思团队首次提出了新型的垂直环形沟道器件结构（Channel-All-Around, CAA）。该结构有效减小了器件面积，且支持多层堆叠，通过将上下两个CAA器件直接相连，每个存储单元的尺寸可减小至4F2，使IGZO-DRAM拥有了密度优势。团队实现了50nm沟长的CAA IGZO FET，其开态电流大于30μA/μm，关态电流小于1.8×10-17μA/μm，同层相连的2T0C单元可以达到300s的保持时间。 该研究成果将推动IGZO晶体管在高密度DRAM领域的应用，并以题为“Novel Vertical Channel-All-Around(CAA) IGZO FETs for 2T0C DRAM with High Density beyond 4F2 by Monolithic Stacking”入选IEDM 2021，同时获选Highlight Paper和Top Ranked Student Paper。
