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美国将复活90纳米工艺,该工艺比7纳米芯片的性能强50倍

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美国天水公司宣布从美国国防部高级研究计划局(DARPA)获得2700万美元的资助,以推进90纳米战略抗辐射(RH90) FDSOI技术平台的开发,总投资计划高达1.7亿美元。

与台积电、#FormatAID_0#、英特尔等半导体公司相比,天水不仅规模小,经验也较浅。成立于2017年,其晶圆厂主要来自赛普拉斯半导体的芯片制造部门。工艺不先进,主要生产130nm和90nm。一些先进的芯片只有65纳米。

然而,他们得到了DARPA的青睐,并很快开始参与ERI的电子复兴计划,该计划在5年内投资15亿美元,以促进美国半导体行业的发展。

在ERI的计划中,SkyWater没有追求更强大但更昂贵的先进技术。相反,SkyWater使用90nm工艺制造3D SoC芯片,通过集成电阻RAM和碳纳米管等材料,实现了更强的性能,性能高达7纳米芯片的50倍。

编者:众所周知,美国制造商在先进芯片技术上落后于台积电和三星,而台积电和三星都远远领先于目前和即将量产的7nm、5nm和3nm芯片。然而,美国似乎不愿让这种情况发生。该公司计划复兴90纳米工艺,并表示将生产出比7纳米芯片性能强50倍的芯片。当然,就目前而言,这项技术还不是完全的突破,毕竟用一个老工艺来超越现有的先进工艺是前所未有的。但如果它成功了,它可能会改变半导体行业的游戏规则。

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若是成功,这或许会是改变半导体行业规则的新技术

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