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随着集成电路线路从7纳米向更细发展，带来工艺成品率越来越低，晶体管越来越小。布线联接晶体管是用光刻机丶刻蚀机，扩渗机，需在晶园上更密沉积铜元素导线，易发生干扰丶漏电。于是，中国主流是在晶园上≥14纳米布线。然后，向立体发展，提高布线宽度。每层加工完晶圆经打磨抛光丶清洗丶烘干。根据需要N层，之间波峰锡焊，最后装上引头并封装。同样，可以达到使用要求，成品率高，反而成本低。现在，华为5G芯片就是用两层叠加设计丶制造的集成电路，打破美国的“卡脖子”。
