LED信号灯
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近日，厦门大学物理科学与技术学院与乾照光电协同攻关，在提升绿光LED效率方面取得重大进展。 厦门大学康俊勇教授与乾照光电陈凯轩博士团队经过3年的联合攻关，提出通过并入高浓度氧形成AlNO缓冲层的方法，降低图形化蓝宝石衬底与GaN外延层间晶格失配导致的应力与缺陷，进而减缓了MQW中阱/垒的应力及其压电极化效应，提升了阱/垒界面的陡峭度，提高了阱中In组分的一致性，最终提高了LED的光电转换效率。 基于该技术制备的526 nm绿光LED芯片(面积为0.1mm2)，在20 A/cm2的工作条件下外量子效率达46.1%、光电转换效率达41.9%，为目前所报道的最高数值。除提升绿光LED效率以外，该技术预期也可以在AlN基紫外LED中发挥作用。
