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纳米级LED的表面特性 图4显示了纳米棒侧壁与绝缘体界面的分析结果。通过高角度环形暗场扫描透射电子显微镜（HAADF-STEM）成像追踪每个制造步骤后MQW区域侧壁的形态和原子结构的演变（图4a）。图4b，c的XPS数据表明：Ga 3d的核心级光谱可以被分解为Ga-N、Ga-O和Ga-Ga键。Ga 3d的状态比（图4c）清楚地表明，Ga-O键在等离子体增强的ALD SiO2纳米棒中是最高的，而在溶胶-凝胶SiO2中，等离子体诱导的GaN缺陷是最低的。本文还通过电子自旋共振（ESR）光谱来分析(N-N)N0缺陷的浓度（图4d,e）。溶胶-凝胶SiO2涂层纳米棒中的(N-N)N0缺陷比湿法蚀刻的纳米棒中的缺陷要少，证明了表面悬空键的钝化而没有产生多余的缺陷。
