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在对半导体至关重要的五个特性中,高临界电场强度是β-氧化镓的最大优势。这种品质有助于产生高压开关,也可能意味着强大的射频设备。β-氧化镓的一大弱点是导热率低,这意味着热量会被困在设备内部。 与其他宽禁带半导体相比,氧化镓具有使其与商业化生产工艺兼容的多种特性。例如,像硅一样,氧化镓也可以通过离子注入工艺进行掺杂。最重要的是,氧化镓晶圆可以通过商业晶体生长技术制造,例如Czochralski方法,这与GaN不同,GaN必须在硅、SiC或蓝宝石衬底上生长,存在晶格失配导致损坏的风险。