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三星加码NAND闪存、晶圆代工等新技术研发

 电子芯技术

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近日,市场传出,半导体大厂三星电子将在本月开设一个新的研发中心,负责更先进NAND Flash产品研发。

最新消息是,三星电子已于8月19日在韩国京畿道器兴园区举行了下一代半导体研发(R&D)园区动工仪式。

据韩联社报道,该研发园区总面积约10.9万平方米,将主管NAND闪存、晶圆代工、系统芯片等新技术研发。三星电子计划到2028年对该园区投资约20万亿韩元(约合人民币1030亿元)。

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回复电子芯技术:中国还是要继续加强自身技术的研发,越有这么大的投资越要提高警惕,三星这样的投资就是看中我们的成熟劳动力市场,能降低其的产品成本,从而进行变相的倾销,打压我国企业的自研能力!有大额投资是好事,但也是双刃剑。
回复电子芯技术:三星的想法是尽快扩充产能,打压产品价格,造成中国企业持续亏损无法扩产甚至倒闭,然后工厂出现事故,价格上行,收割利润再扩产

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