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台积电将公布2nm工艺细节 功耗降低30%

 芯闻速递

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在9月份量产3nm工艺之后,台积电下一代的工艺也已经在路上了,2nm工艺未来两年中将接替3nm工艺,这一代工艺也会放弃FinFET晶体管,跟三星、Intel一样走向GAA环绕栅极晶体管技术。台积电在6月份正式公布了2nm工艺,并透露了一些技术细节,相比3nm工艺,在相同功耗下,2nm速度快10~15%;相同速度下,功耗降低25~30%。

不过在晶体管密度上,2nm工艺的提升就不那么让人满意了,相比3nm只提升了10%,远低于以往至少70%的晶体管密度提升——按照摩尔定律来算,密度应该提升100%才算新一代工艺。

此外,台积电2nm工艺的量产时间也要等到2025年下半年,这意味着终端产品出货要等到2026年了,升级周期也要比当前的节点慢不少。

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回复芯闻速递:台积电这点做的好,只代工,不设计自己芯片。我们以前把后端图纸交给台积电也放心

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