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至芯半导体成功研发出AlGaN的高灵敏日盲型深紫外光的光电探测器

 科技连连看

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近日,至芯半导体成功研发出AlGaN的高灵敏日盲型深紫外光的光电探测器,相关成果已申请发明专利(申请号: 202210045910.6),这一成果为实现高性能日盲深紫外光电探测器和图像传感提供了一种新的策略。

至芯半导体的研究人员通过重新排列紫外探测器芯片结构,在芯片中引入半导体倍增层,使得基于该芯片所制备的紫外探测器具有倍增性能,改善了电流扩展和应力分布均匀性,提高了AlInGaN半导体紫外探测器的光谱响应性能。

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