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高频段、高功率、高效率、小型化…新一代真空电子器件有啥特征?

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国家重大科学研究计划纳米专项“基于纳米冷阴极的新型真空微纳电子器件的基础问题研究”,主要基于纳米冷阴极研制微波和太赫兹波真空电子器件,面向解决新一代真空电子器件技术。项目由中山大学负责,其他参加单位有中国电子科技集团公司第十二研究所、电子科技大学、北京大学、中国科学院物理研究所等。

目前,已经在纳米冷阴极太赫兹器件、微波行波管器件、高频新原理真空电子器件等方面取得了系列进展。中山大学团队在不锈钢衬底上实现外延生长碳纳米管,解决了大量碳纳米管协同隧穿电子发射一致性问题,在曲面形状电极表面上实现碳纳米管薄膜可控制备,研制出了满足高频电子器件应用要求的碳纳米管冷阴极

新一代真空电子器件向高频段(毫米波、亚毫米波、太赫兹频段)、高功率、高效率、小型化、紧凑型等方向发展,它的进展代表了真空电子器件现代技术的水平,并制约着一个国家在航天、军事、通信等领域的发展。

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