中芯N+1技术采用先进制程，使芯片尺寸更小，功耗更低，性能更强，是集成电路行业的重要进展。
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中芯国际的「N+1」制造技术是该公司继14纳米和12纳米制造工艺之后的又一重要节点。 据中芯国际称，与14纳米节点相比，其N+1技术可在相同的时钟频率和复杂度下，将性能提高20%。或在相同的性能和复杂度下，将功率降低57%。 此外，该技术有可能将现有芯片晶体管密度提高2.7倍。
