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10月5日，三星在美国加州硅谷举办2022年三星科技日，并展示了一系列尖端的半导体解决方案。在此次活动中，三星首次推出了其第8代V-NAND（512Gb），位密度提高了42%，在迄今为止的512Gb三级单元（TLC）内存产品中达到了业界最高的位密度。该公司表示，全球最高容量的1Tb TLC V-NAND将于今年年底向客户提供。三星还透露了其他产品的进度。 NAND方面，目前，三星正在量产第7代Vertical NAND（V-NAND）闪存，其第九代V-NAND正在开发中，并计划从2024年开始量产第9代NAND闪存。 为了增加存储容量，美光、铠侠等公司在NAND闪存领域的层数竞争中愈演愈烈，三星称，到2030年，公司设想堆叠超过1000层，以更好地支持未来的数据密集型技术。
